[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201611021064.5 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN107994083B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 林昭正;彭健凯;林宸澄;杜政勋;黄崇杰;叶峻铭 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/048
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池,其包括硅基板、射极、第一电极、掺杂区、钝化层、经掺杂的多晶硅层、半导体层以及第二电极。硅基板具有彼此相对的第一表面与第二表面。射极配置于第一表面上。第一电极配置于射极上。掺杂区配置于第二表面中。钝化层配置于第二表面上。经掺杂的多晶硅层配置于钝化层上,其中经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞,且孔洞暴露出部分第二表面。半导体层配置于经掺杂的多晶硅层上以及孔洞中,其中半导体层的能隙大于硅基板的能隙。第二电极配置于半导体层上。
搜索关键词: 太阳能电池
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:硅基板,具有彼此相对的第一表面与第二表面;射极,配置于所述第一表面上;第一电极,配置于所述射极上;掺杂区,配置于所述第二表面中;钝化层,配置于所述第二表面上;经掺杂的多晶硅层,配置于所述钝化层上,其中所述经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞,且所述孔洞暴露出部分所述第二表面;半导体层,配置于所述经掺杂的多晶硅层上以及所述孔洞中,其中所述半导体层的能隙大于所述硅基板的能隙;以及第二电极,配置于所述半导体层上。
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