[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201611021064.5 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN107994083B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 林昭正;彭健凯;林宸澄;杜政勋;黄崇杰;叶峻铭 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池,其包括硅基板、射极、第一电极、掺杂区、钝化层、经掺杂的多晶硅层、半导体层以及第二电极。硅基板具有彼此相对的第一表面与第二表面。射极配置于第一表面上。第一电极配置于射极上。掺杂区配置于第二表面中。钝化层配置于第二表面上。经掺杂的多晶硅层配置于钝化层上,其中经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞,且孔洞暴露出部分第二表面。半导体层配置于经掺杂的多晶硅层上以及孔洞中,其中半导体层的能隙大于硅基板的能隙。第二电极配置于半导体层上。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:硅基板,具有彼此相对的第一表面与第二表面;射极,配置于所述第一表面上;第一电极,配置于所述射极上;掺杂区,配置于所述第二表面中;钝化层,配置于所述第二表面上;经掺杂的多晶硅层,配置于所述钝化层上,其中所述经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞,且所述孔洞暴露出部分所述第二表面;半导体层,配置于所述经掺杂的多晶硅层上以及所述孔洞中,其中所述半导体层的能隙大于所述硅基板的能隙;以及第二电极,配置于所述半导体层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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