[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 201611021064.5 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107994083B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 林昭正;彭健凯;林宸澄;杜政勋;黄崇杰;叶峻铭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
硅基板，具有彼此相对的第一表面与第二表面；
射极，配置于所述第一表面上；
第一电极，配置于所述射极上；
掺杂区，配置于所述第二表面中；
钝化层，配置于所述第二表面上；
经掺杂的多晶硅层，配置于所述钝化层上，其中所述经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞，且所述孔洞暴露出部分所述第二表面；
半导体层，配置于所述经掺杂的多晶硅层上以及所述孔洞中，其中所述半导体层的能隙大于所述硅基板的能隙，所述半导体层的材料为经掺杂的碳化硅；以及
第二电极，配置于所述半导体层上。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述半导体层的厚度介于5nm至50nm之间。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括透明导电层，配置于所述第一电极与所述射极之间。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括透明导电层，配置于所述第二电极与所述半导体层之间。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述孔洞的孔径不超过200μm。
6.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
第一导电类型的硅基板，具有彼此相对的第一表面与第二表面；
第一导电类型的第一掺杂区，配置于所述第一表面中；
第一钝化层，配置于所述第一表面上；
第一导电类型的第一经掺杂的多晶硅层，配置于所述第一钝化层上，其中所述第一经掺杂的多晶硅层与第一钝化层中具有第一孔洞，且所述第一孔洞暴露出部分所述第一表面；
第一透明导电层，配置于所述第一经掺杂的多晶硅层上以及所述第一孔洞中；
第一电极，配置于所述第一透明导电层上；
第二导电类型的第二掺杂区，配置于所述第二表面中；
第二钝化层，配置于所述第二表面上；
第二导电类型的第二经掺杂的多晶硅层，配置于所述第二钝化层上，其中所述第二经掺杂的多晶硅层与第二钝化层中具有第二孔洞，且所述第二孔洞暴露出部分所述第二表面；
半导体层，配置于所述第二经掺杂的多晶硅层上以及所述第二孔洞中，其中所述半导体层的能隙大于所述硅基板的能隙，所述半导体层的材料为经掺杂的碳化硅；以及
第二电极，配置于所述半导体层上。
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述的第一导电类型为n型，第二导电类型为p型。
8.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述半导体层的厚度介于5nm至50nm之间。
9.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二透明导电层，配置于所述第二电极与所述半导体层之间。
10.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述第一孔洞的孔径不超过200μm。
11.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，其中所述第二孔洞的孔径不超过200μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
