[发明专利]芯片保护封壳和方法有效
| 申请号： | 201611016940.5 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107039357B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | M·斯坦丁 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本申请涉及芯片保护封壳和方法。在一个实施例中，一种芯片保护封壳，包括：第一电介质层，包括具有至少180℃的分解温度的至少一个有机组分；半导体裸片，嵌入在所述第一电介质层中，所述半导体裸片具有第一表面和厚度t1。第二电介质层布置在所述第一电介质层的第一表面上，所述第二电介质层包括可光限定的聚合物成分；并且导电层布置在所述半导体裸片的第一表面上且电耦合到所述半导体裸片。所述导电层包括厚度t2，其中t2≥t1/3。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 护封 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片保护封壳，包括：第一电介质层，包括具有至少180℃的分解温度的至少一个有机组分；半导体裸片，嵌入在所述第一电介质层中，所述半导体裸片具有第一表面和厚度t1；第二电介质层，布置在所述第一电介质层的第一表面上，所述第二电介质层包括聚合物成分；第一导电层，布置在所述半导体裸片的所述第一表面上且电耦合到所述半导体裸片，所述导电层包括厚度t2，其中t2≥t1/3，其中所述芯片保护封壳的侧面ae比所述半导体裸片的侧面as大了5％和25％之间，其中所述第一导电层形成第一接触焊盘；第三电介质层，布置在所述第一电介质层的第二表面上，所述第二表面与所述第一电介质层的所述第一表面相对，其中所述第三电介质层包括聚合物成分，以及另一导电层，布置在所述半导体裸片的与所述半导体裸片的所述第一表面相对的第二表面上并且电耦合到所述半导体裸片，其中所述另一导电层具有厚度t3，其中t3≥t1/3，并且所述另一导电层形成第二接触焊盘。
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