[发明专利]芯片保护封壳和方法

权利要求书

1.一种芯片保护封壳，包括：

第一电介质层，包括具有至少180℃的分解温度的至少一个有机组分；

半导体裸片，嵌入在所述第一电介质层中，所述半导体裸片具有第一表面和厚度t₁；

第二电介质层，布置在所述第一电介质层的第一表面上，所述第二电介质层包括聚合物成分；

第一导电层，布置在所述半导体裸片的所述第一表面上且电耦合到所述半导体裸片，所述导电层包括厚度t₂，其中t₂≥t₁/3，其中所述芯片保护封壳的侧面a_e比所述半导体裸片的侧面a_s大了5％和25％之间，其中所述第一导电层形成第一接触焊盘；

第三电介质层，布置在所述第一电介质层的第二表面上，所述第二表面与所述第一电介质层的所述第一表面相对，其中所述第三电介质层包括聚合物成分，以及

另一导电层，布置在所述半导体裸片的与所述半导体裸片的所述第一表面相对的第二表面上并且电耦合到所述半导体裸片，其中所述另一导电层具有厚度t₃，其中t₃≥t₁/3，并且所述另一导电层形成第二接触焊盘。

2.根据权利要求1所述的封壳，其中所述第二电介质层从所述第一电介质层延伸到所述半导体裸片上。

3.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述第二电介质层的最外表面包括基于环氧树脂的合成物。

4.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述第一导电层从所述半导体裸片延伸到所述第二电介质层上。

5.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述半导体裸片的第一电极形成延伸通过所述第二电介质层的分立开口的基部，且所述第一导电层布置在所述分立开口中。

6.根据权利要求1所述的封壳，其中所述第三电介质层延伸到所述半导体裸片的所述第二表面上。

7.根据权利要求1或6所述的封壳，其中所述另一导电层延伸到所述第三电介质层上。

8.根据权利要求5所述的封壳，其中所述半导体裸片的第二电极形成延伸通过所述第三电介质层的开口的基部，且所述另一导电层布置在所述分立开口中。

9.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述半导体裸片包括垂直晶体管器件。

10.根据权利要求1或2所述的封壳，其中40μm≤t₁≤100μm且15μm≤t₂≤70μm。

11.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述第二电介质层包括不同成分的两个或更多个子层。

12.根据权利要求11所述的封壳，其中所述子层包括第一子层和第二子层，所述第二子层包括比所述第一子层的铜化学亲和性大的铜化学亲和性。

13.根据权利要求11所述的封壳，其中所述子层包括第一子层和第二子层，所述第一子层包括聚酰亚胺，且所述第二子层包括基于环氧树脂的合成物。

14.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述第一导电层具有不可接触的表面，在所述表面上没有形成与另一金属的低电阻接触。

15.根据权利要求1或2所述的封壳，其中所述第一导电层被电绝缘层覆盖。