[发明专利]一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法有效
| 申请号： | 201611007386.4 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106653592B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李春领;王春红;秦艳红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理。借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲镉汞表面的组分偏差较大的问题，不仅能够降低碲镉汞材料的组分方差，而且使碲镉汞材料的表面极少氧化物甚至无氧化物，从而使碲镉汞探测器器件光谱响应均匀性能够满足性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 薄膜 材料 化学抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：/n利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；/n将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理，其中，所述表面处理液为乳酸与乙二醇按照体积比1:10～1:80组成的混合物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
