[发明专利]一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法有效
| 申请号： | 201611007386.4 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106653592B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李春领;王春红;秦艳红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 薄膜 材料 化学抛光 方法 | ||
1.一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；
将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理，其中，所述表面处理液为乳酸与乙二醇按照体积比1:10～1:80组成的混合物。
2.如权利要求1所述的化学抛光方法，其特征在于，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度包括：
第1次化学抛光的去除厚度不超过去除总厚度的50％；
第i+1次化学抛光的去除厚度不超过第i次化学抛光去除厚度的60％。
3.如权利要求1所述的化学抛光方法，其特征在于，所述N为3～6；
第1次化学抛光的去除厚度为去除总厚度的45～50％；
第i+1次化学抛光的去除厚度为第i次化学抛光去除厚度的55～60％。
4.如权利要求1所述的化学抛光方法，其特征在于，所述第i次化学抛光利用的化学抛光液为第一化学抛光液或第二化学抛光液；
其中，所述第一化学抛光液为溴与甲醇和乙二醇组成的混合物，所述第二化学抛光液为氨水与双氧水组成的混合物。
5.如权利要求4所述的化学抛光方法，其特征在于，所述第一化学抛光液中甲醇与乙二醇的体积比为1:1～1:5，甲醇和乙二醇组成第一混合物，溴在第一混合物中的体积浓度为0.05％～0.5％。
6.如权利要求4所述的化学抛光方法，其特征在于，所述第二化学抛光液中氨水与双氧水的体积比为1:5～1:100。
7.如权利要求1或6所述的化学抛光方法，其特征在于，所述将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理具体包括以下步骤：
将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理，处理时间为5～20s。
8.如权利要求1至6任意一项所述的化学抛光方法，其特征在于，所述碲镉汞薄膜材料通过外延法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所，未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611007386.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包装罐（太堡4L）
- 下一篇：塑料桶（陇上农庄菜籽油）
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
