[发明专利]一种自对准MEMS压阻式加速度计制作方法在审
| 申请号： | 201610998177.4 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN106564857A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈博;黄斌;王文婧;陈璞;庄须叶;郭群英 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01P15/09;G01P15/12 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自对准MEMS压阻式加速度计制作方法，包括在硅基片的底面通过KOH腐蚀工艺制作出腔体；在硅基片的顶面由下至上依次生长氧化层与氮化硅层；在氮化硅层上利用光刻工艺同时制作压阻图形与结构释放图形，并腐蚀压阻图形与结构释放图形处的氮化硅层；腐蚀压阻图形处的氧化层，再通过注入与退火工艺形成压敏电阻；腐蚀结构释放图形处的氧化层，形成结构释放区；对结构释放区位置的硅基片进行深刻蚀，形成可动结构，得到MEMS压阻式加速度计；压敏电阻图形和结构释放图形在一次光刻中形成，加工过程中不需设备进行对准，实现压敏电阻与器件结构的自对准，从而提高器件对称性，有效减小压敏电阻位置偏差带来的误差，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 mems 压阻式 加速度计 制作方法 | ||
【主权项】：
一种自对准MEMS压阻式加速度计制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅基片的底面通过KOH腐蚀工艺制作出腔体；S2、在硅基片的顶面由下至上依次生长氧化层与氮化硅层；S3、在氮化硅层上利用光刻工艺同时制作压阻图形与结构释放图形，并腐蚀压阻图形与结构释放图形处的氮化硅层；S4、腐蚀压阻图形处的氧化层，再通过注入与退火工艺形成压敏电阻；S5、腐蚀结构释放图形处的氧化层，形成结构释放区；S6、对结构释放区位置的硅基片进行深刻蚀，形成可动结构，得到MEMS压阻式加速度计。
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