[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的器件有效
| 申请号： | 201610997016.3 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107026139B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | A·帕勒亚里;A·米拉尼;L·瓜里诺;F·龙奇 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及制造半导体器件的方法和对应的器件。在一个实施例中，一种方法制造半导体器件，该半导体器件包括具有外围部分的金属化结构，该外围部分具有一个或多个下覆层，该下覆层具有面向外围部分延伸的边缘区域。方法包括：提供牺牲层以覆盖下覆层的边缘区域，在由牺牲层覆盖下覆层的边缘区域的同时提供金属化结构，以及移除牺牲层以使得下覆层的边缘区域面向外围部分延伸而在两者之间没有接触界面，由此避免热机械应力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 对应 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有边缘区域的第一层，利用牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域，在由所述牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域的同时，在所述牺牲层上提供金属化结构，所述金属化结构包括外围部分，以及去除所述牺牲层，由此所述第一层的所述边缘区域面向所述外围部分而在所述外围部分与所述边缘区域之间没有接触界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610997016.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于封装器件的装置和方法
- 下一篇：集成芯片及其形成方法
