[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其目的在于，在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu，Ni)₆Sn₅。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融，从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)₆Sn₅。在第二热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融，从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)₆Sn₅。而且，在第三热处理工序中，使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使第一部件与第二部件相互接合。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有第一部件和被接合在所述第一部件上的第二部件，所述制造方法包括：第一热处理工序，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于所述第一部件上的Ni膜上熔融，从而在所述第一部件的所述Ni膜上生成(Cu，Ni)₆Sn₅；第二热处理工序，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于所述第二部件上的Ni膜上熔融，从而在所述第二部件的所述Ni膜上生成(Cu，Ni)₆Sn₅；第三热处理工序，使所述第一热处理工序后的所述第一Sn‑Cu系焊锡与所述第二热处理工序后的所述第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使所述第一部件与所述第二部件相互接合。