[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610989359.5 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107104056B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 门口卓矢;武直矢 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理工序 半导体装置 焊锡 重量百分比 熔融 制造 焊锡熔融 接合 焊接 一体化 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有第一部件和被接合在所述第一部件上的第二部件，所述制造方法包括：第一热处理工序，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn-Cu系焊锡在被形成于所述第一部件上的Ni膜上熔融，从而在所述第一部件的所述Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5；第二热处理工序，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn-Cu系焊锡在被形成于所述第二部件上的Ni膜上熔融，从而在所述第二部件的所述Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5；第三热处理工序，使所述第一热处理工序后的所述第一Sn-Cu系焊锡与所述第二热处理工序后的所述第二Sn-Cu系焊锡熔融而一体化，从而使所述第一部件与所述第二部件相互接合。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，
在所述第三热处理工序中使所述第一Sn-Cu系焊锡以及所述第二Sn-Cu系焊锡熔融的时间短于，在所述第一热处理工序中使所述第一Sn-Cu系焊锡熔融的时间以及在所述第二热处理工序中使所述第二Sn-Cu系焊锡熔融的时间。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述第一Sn-Cu系焊锡与所述第二Sn-Cu系焊锡中的至少一方含有重量百分比1.6％以上的Cu。
4.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述第一部件与所述第二部件中的至少一方为功率半导体元件。
5.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述第一部件的所述Ni膜与所述第二部件的所述Ni膜中的至少一方被Au或Ag覆盖。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
