[发明专利]一种二次电子测量装置有效
| 申请号： | 201610988714.7 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106770411B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李金海 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于电子测量技术，具体涉及一种二次电子测量装置。该装置在真空腔内设置等离子体发生装置，采用等离子体中和二次电子测量时绝缘样品表面积累的电荷，能够实现二次电子总电流测量和二次电子角分布测量；能够收集反向射向电子枪的二次电子。本发明避免了现有技术中正离子注入中和方法所导致的绝缘样品表面损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 二次电子 测量装置 绝缘样品 测量 等离子体发生装置 等离子体 中和 电子测量技术 表面积累 表面损伤 电荷 电子枪 角分布 真空腔 总电流 离子 | ||
【主权项】：
1.一种二次电子测量装置，包括真空腔(1)以及设置在真空腔内的样品承载支架(7)，待测样品(6)设置在样品承载支架上，一次电子由电子枪(8)发射进入真空腔(1)对所述待测样品(6)进行轰击，并对产生的二次电子进行测量，其特征在于：在所述真空腔(1)内设有等离子体发生装置，在完成待测样品(6)的一个或几个电子脉冲的二次电子测量后，关闭电子枪和真空腔的真空泵阀门，通过所述的等离子体发生装置产生的等离子体中和待测样品(6)表面电荷。
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