[发明专利]一种二次电子测量装置

权利要求书

1.一种二次电子测量装置，包括真空腔(1)以及设置在真空腔内的样品承载支架(7)，待测样品(6)设置在样品承载支架上，一次电子由电子枪(8)发射进入真空腔(1)对所述待测样品(6)进行轰击，并对产生的二次电子进行测量，其特征在于：在所述真空腔(1)内设有等离子体发生装置，在完成待测样品(6)的一个或几个电子脉冲的二次电子测量后，关闭电子枪和真空腔的真空泵阀门，通过所述的等离子体发生装置产生的等离子体中和待测样品(6)表面电荷。

2.如权利要求1所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述的等离子体发生装置为可加载高压的等离子体激励电极(5)和/或等离子体火炬(4)。

3.如权利要求2所述的二次电子测量装置，其特征在于：当采用所述的等离子体激励电极(5)或等离子体火炬(4)产生等离子体时，向所述真空腔(1)内通入惰性气体。

4.如权利要求1所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述的待测样品(6)为绝缘材料样品。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的二次电子测量装置，其特征在于：在所述的真空腔(1)内设有可加载负电压的栅网(3)，在所述栅网(3)与真空腔的内壁之间设有接收电极(2)，所述接收电极(2)连接电子参数测量系统。

6.如权利要求5所述的二次电子测量装置，其特征在于：在所述电子枪(8)与真空腔(1)之间设有电子偏转传输系统(9)，所述电子偏转传输系统(9)包括电子横向聚焦磁铁和偏转磁铁；所述接收电极(2)与一个插入所述电子偏转传输系统的偏转磁铁的金属管道连接，电子偏转传输系统(9)将电子枪发射的一次电子经偏转和聚焦后到达所述待测样品(6)，同时将反向射向电子枪的二次电子偏转到接收电极(2)上。

7.如权利要求2-4中任意一项所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述的等离子体火炬(4)置于真空腔(1)的下半部，等离子体火炬(4)的喷口能够对准所述待测样品(6)。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述的样品承载支架(7)上设有Y轴转架(10)和X轴转架(11)，所述的Y轴转架(10)能够相对于样品承载支架(7)独立地沿平行于待测样品表面的Y轴旋转，所述的X轴转架(11)能够相对于样品承载支架(7)独立地沿垂直于待测样品表面的X轴旋转，所述的样品承载支架(7)、Y轴转架(10)和X轴转架(11)能够一起沿平行于待测样品表面的与Y轴相垂直的Z轴旋转；在Y轴转架(10)和X轴转架(11)内侧分别设有二次电子测量片(12)和栅网(13)。

9.如权利要求8所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述的X轴转架(11)呈90度圆弧状结构，旋转角度范围为180°；所述的Y轴转架(10)呈180度圆弧状结构，旋转角度范围为90°。

10.如权利要求9所述的二次电子测量装置，其特征在于：所述Y轴转架(10)的左半部圆弧与右半部圆弧相互错开一定距离，以避免Y轴转架对一次入射电子的遮挡，在错开位置相应的立体角处的真空腔(1)内壁上设有二次电子测量片。