[发明专利]用于P沟道MOSFET的驱动器

摘要

本发明公开用于P沟道MOSFET的驱动器。本发明涉及用于驱动P沟道MOSFET的驱动器电路。驱动器电路由在功率输入处供应的DC电压馈送，并且其在控制输入处接收控制信号。控制信号包括用于控制P沟道MOSFET的开关的信息，所述P沟道MOSFET的栅极被连接到驱动器电路的驱动输出。为了生成驱动信号，驱动器电路包括关断双极晶体管，其由在功率输入处接收的电源电压供电，因为其集电极被连接到功率输入。在控制输入处接收的控制信号借助于电流放大器被放大并且经由反相电容器被馈送到双极晶体管的基极。响应于在其基极处的经放大的控制信号，双极晶体管有源地生成关断信号并且提供关断信号给驱动输出。

主权项

用于驱动P沟道MOSFET(2)的驱动器电路(1)，包括：用于接收DC电源电压的电源输入(3)；用于接收用于控制P沟道MOSFET(2)的开关的控制信号(V2)的控制输入(4)；以及用于连接P沟道MOSFET(2)的栅极的驱动输出(5)，其中所述驱动器电路(1)适合于依赖于在控制输入(4)处接收的控制信号来生成驱动信号，并且还适合于在驱动输出处提供驱动信号，其中所述驱动器电路包括用于有源地生成关断信号并且将所述关断信号提供给驱动输出(5)的关断双极晶体管(Q3)，关断双极晶体管具有基极、集电极和发射极，其中基极经由反相电容器(C2)被连接到控制输入(4)，集电极被直接连接到电源输入(3)的端子，并且发射极被连接到驱动输出。