[发明专利]用于P沟道MOSFET的驱动器

权利要求书

1. 用于驱动P沟道MOSFET（2）的驱动器电路（1），包括：用于接收DC电源电压的电源输入（3）；用于接收用于控制P沟道MOSFET（2）的开关的控制信号（V2）的控制输入（4）；以及用于连接P沟道MOSFET（2）的栅极的驱动输出（5），其中所述驱动器电路（1）适合于依赖于在控制输入（4）处接收的控制信号来生成驱动信号，并且还适合于在驱动输出处提供驱动信号，其中所述驱动器电路包括用于有源地生成关断信号并且将所述关断信号提供给驱动输出（5）的关断双极晶体管（Q3），关断双极晶体管具有基极、集电极和发射极，其中基极经由反相电容器（C2 ）被连接到控制输入（4），集电极被直接连接到电源输入（3）的端子，并且发射极被连接到驱动输出，其中将DC耦合电阻器（R1）连接在关断双极晶体管（Q3）的基极与电源输入（3）的负端子之间。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中二极管在传导方向上被从关断双极晶体管的发射极连接到基极。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的驱动器电路，其中关断双极晶体管是快速开关双极晶体管。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的驱动器电路，其中关断双极晶体管（Q3）的发射极经由限流电阻器（R5）被连接到驱动输出（5）。

5.根据权利要求1至2中的任一项所述的驱动器电路，其中电流放大器（7）被连接到控制输入（4）用于放大控制信号，并且其中关断双极晶体管（Q3）的基极经由反相电容器（C2）被连接到电流放大器（7）的输出。

6.根据权利要求5所述的驱动器电路，其中所述电流放大器（7）包括：用其集电极连接到电源输入（3）的电源端子的npn双极晶体管（Q2）；以及用其发射极连接到npn双极晶体管（Q2）的发射极并且用其集电极连接到电源输入（3）的地端子的pnp双极晶体管（Q1），其中两个双极晶体管的基极端子经由电阻器（R4）被连接到控制输入（4），并且其中电流放大器（7）的输出被提供在双极晶体管的公共发射极端子处。

7.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中电阻器（R2）和二极管（D2）的串联电路被并联连接到DC耦合电阻器（R1），其中二极管（D2）的负极被连接到电源输入（3）的负端子，并且其中电阻器（R2）被连接在双极晶体管（Q3）的基极与二极管（D2）的正极之间，并且其中串联电路电阻器（R2）的电阻是DC耦合电阻器（R1）的电阻的至多1/10倍。

8.包括根据权利要求1-2中的任一项所述的驱动器电路的驱动器设备，还包括用于将DC电源电压提供给驱动器电路（1）的电源输入（3）的电源电路（6），电源电路（6）包括两个电源端子，其用于连接被串联连接到电源端子中的一个的电压源（V1）、电阻器（R3）和被连接在所述电阻器（R3）与电源端子中的另一个之间的电容器（C1），其中DC电源电压横跨电容器（C1）被提供。

9.包括根据权利要求8所述的驱动器设备和P沟道MOSFET（2）的可控开关设备，其中驱动器电路（1）的驱动输出（5）被连接到P沟道MOSFET（2）的栅极。

10.用于驱动P沟道MOSFET（2）的方法，其中：接收用于控制P沟道MOSFET（2）的开关的控制信号（V2）；经由通过反相电容器（C2）馈送控制信号（V2）而依赖于控制信号（V2）来生成驱动信号，其中将所述驱动信号提供给P沟道MOSFET（2）的栅极，特征在于借助于关断双极晶体管（Q3）有源地生成关断信号，并且在于将关断信号提供给P沟道MOSFET（2）的栅极，其中将DC耦合电阻器（R1）连接在关断双极晶体管（Q3）的基极与电源输入（3）的负端子之间。