[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610984742.1 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026197B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杰伦·安东·克龙;昆拉德·科内利斯·塔克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置和一种制造所述半导体装置的方法。所述装置包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)。所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽。所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)，其中所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽，以及其中所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安世有限公司，未经安世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610984742.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
