[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610984742.1 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026197B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杰伦·安东·克龙;昆拉德·科内利斯·塔克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)，
其中所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽，以及
其中所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离；
所述载体包括具有其上安装有所述衬底的所述背侧的表面的导电平台，并且所述导电平台与所述导电屏蔽部分电隔离；
其中所述导电平台位于所述导电屏蔽部分上方；
所述导电屏蔽部分电连接到所述漏极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电屏蔽部分至少部分地在所述衬底下方延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，当从所述衬底的主表面上方观察时，所述导电屏蔽部分在所述衬底的周边周围延伸，以至少部分地围绕所述衬底。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，当从所述衬底的主表面上方观察时，所述导电屏蔽部分在所述衬底的周边周围延伸，以至少部分地围绕所述衬底。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述导电屏蔽部分电连接到外部电势。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括具有一个或多个金属层的介电质衬底。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底的所述背侧安装在位于所述介电质衬底的上表面上的金属层上，并且其中所述导电屏蔽部分包括位于所述介电质衬底的所述上表面下方的一个或多个金属层。
8.根据权利要求1到4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括金属引线框架。
9.根据权利要求1到4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括具有位于其表面上的一个或多个图案化的金属特征的印刷电路板，其中所述图案化的金属特征中的至少一个形成所述导电屏蔽部分。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述源极电连接到所述导电平台，由此将所述源极电连接到所述衬底的所述背侧。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述导电平台电连接到所述装置的源极输出端子。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置与包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的第二半导体衬底封装在一起，其中所述第二半导体衬底也安装在所述导电平台上。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底的所述背侧电连接到所述源极。
14.一种高侧开关，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置。
15.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)的衬底；以及
将所述衬底安装在载体上；
其中所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽，以及
其中所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离；
所述载体包括具有其上安装有所述衬底的所述背侧的表面的导电平台，并且所述导电平台与所述导电屏蔽部分电隔离；
其中所述导电平台位于所述导电屏蔽部分上方；
所述导电屏蔽部分电连接到所述漏极。
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