[发明专利]一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201610968769.1 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN106298990B 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 张雄;吴自力;崔一平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 210033 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层,p型GaN层,其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成;在p型GaN层上引出p型欧姆电极,在n型GaN层上引出n型欧姆电极。由于非极性外延层面内存在平行于外延层面的单一方向的自发极化电场,且p型和n型GaN欧姆电极分别位于自发极化电场的正负两端,因此自发极化电场的存在有利于提高太阳能电池中光生载流子电子空穴对的横向即平行于电池表面的空间分离效率,并且此自发极化电场还可加速将分离的空穴和电子分别输运至正负电极处,从而可大大提高光电流的产生效率。
搜索关键词: 一种 利用 自发 极化 电场 极性 太阳能电池
【主权项】:
一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池包括自下而上依次设置的衬底(101),GaN成核层(102)、非掺杂GaN缓冲层(103)、n型GaN层(104)、InGaN吸收层(105)、p型GaN层(106),在p型GaN层上引出p型欧姆电极(107),在n型GaN层上引出n型欧姆电极(108);其中:所述GaN成核层(102)、非掺杂GaN缓冲层(103)、n型GaN层(104)、InGaN吸收层(105)、p型GaN层(106)均由非极性材料构成;所述p型欧姆电极(107) 和n型欧姆电极(108) 分别位于自发极化电场的正负两端;所述衬底(101)为极性、半极性或非极性取向的蓝宝石、碳化硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610968769.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top