[发明专利]一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池有效
| 申请号： | 201610968769.1 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298990B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张雄;吴自力;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 210033 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 自发 极化 电场 极性 太阳能电池 | ||
1.一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池包括自下而上依次设置的衬底(101)，GaN成核层(102)、非掺杂GaN缓冲层(103)、n型GaN层(104)、InGaN吸收层(105)、p型GaN层(106)，在p型GaN层上引出p型欧姆电极(107)，在n型GaN层上引出n型欧姆电极(108)；
其中：所述GaN成核层(102)、非掺杂GaN缓冲层(103)、n型GaN层(104)、InGaN吸收层(105)、p型GaN层(106)均由非极性材料构成；
所述p型欧姆电极(107) 和n型欧姆电极(108) 分别位于自发极化电场的正负两端；
所述衬底(101)为极性、半极性或非极性取向的蓝宝石、碳化硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝。
2.根据权利要求1所述的具有自发极化电场的非极性太阳能电池，其特征为：所述GaN成核层(102)的厚度为15-50nm，非掺杂GaN缓冲层(103)的厚度为50-5000nm，n型GaN层(104)的厚度为200-5000nm，InGaN吸收层(105)的厚度为20-2000nm，p型GaN层(106)的厚度为100-1000nm。
3.根据权利要求1所述的具有自发极化电场的非极性太阳能电池，其特征为：所述InGaN吸收层(105)是单层InGaN外延层结构，或是InGaN/GaN多量子阱结构，其中量子阱阱宽为2-10nm，势垒宽为5-20nm，重复周期数为1-50。
4.根据权利要求1所述的具有自发极化电场的非极性太阳能电池，其特征为：所述p型欧姆电极(107) 和n型欧姆电极(108) 的材料为Al，Ni，Au或Ti中的任何一种金属或由以上多种金属构成的复合电极材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
