[发明专利]形成层的方法、制造磁性存储器件和形成磁隧道结的方法有效
| 申请号： | 201610957717.4 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106654000B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朴容星;李俊明;金基雄;金柱显;吴世忠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 形成层 方法 制造 磁性 存储 器件 形成 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种形成层的方法，该方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体与所述下部结构垂直间隔开，并且所述第一绝缘体和所述第二绝缘体彼此横向间隔开，其中所述下部结构的最上部分是具有晶体结构的导电层；分别从所述第一绝缘体和所述第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；使用所述第一离子源和所述第二离子源在所述下部结构上形成绝缘层，其中所述绝缘层的至少一部分处于无定形状态；以及在所述绝缘层上执行热处理工艺，其中所述热处理工艺使所述绝缘层的处于无定形状态的所述部分结晶，以与所述导电层的所述晶体结构的晶格相匹配，以及其中所述第一绝缘体和所述第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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