[发明专利]形成层的方法、制造磁性存储器件和形成磁隧道结的方法

说明书

本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。

技术领域

本发明构思涉及使用溅射法来形成层的方法以及使用其制造磁性存储器件的方法。

背景技术

高速和/或低功耗的电子装置可通过在其中包括具有高速特性和/或低操作电压的半导体存储器件来提供。因此，已开发了磁性存储器件。磁性存储器件可具有高速和/或非易失性的特性。

通常，磁性存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。该磁隧道结图案可包括两个磁性层和设置在所述两个磁性层之间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻值可以根据所述两个磁性层的磁化方向来改变。例如，当所述两个磁性层的磁化方向彼此反平行时，磁隧道结图案可以具有相对大的电阻值。当所述两个磁性层的磁化方向彼此平行时，磁隧道结图案可以具有相对小的电阻值。磁性存储器件可以使用磁隧道结图案的电阻值之间的差来读/写数据。

发明内容

本发明构思的实施方式可以提供一种形成层的方法，该方法能够将一层的晶格与下面层的晶格匹配并能够提高层的沉积速率。

本发明构思的实施方式还可以提供能够被容易地应用到大规模生产的制造磁性存储器件的方法。

本发明构思的实施方式还可以提供制造具有优异的可靠性的磁性存储器件的方法。

在本发明构思的一方面，一种形成层的方法可以包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，第一和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，第一和第二绝缘体彼此横向间隔开；分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体可包括相同的材料。

在本发明构思的一方面，一种制造磁性存储器件的方法可以包括在基板上顺序地形成第一磁性层、非磁性层和第二磁性层。形成非磁性层可包括使用多个绝缘体作为靶执行溅射工艺。所述多个绝缘体可以包括相同的材料。

在本发明构思的一方面，一种形成磁隧道结的方法可以包括：在基板上形成第一磁性层；在第一磁性层的一表面上方第一距离处定位第一绝缘体；在第一磁性层的该表面上方第二距离处并且与第一绝缘体横向间隔开地定位第二绝缘体；将第一电压施加到第一绝缘体以及将第二电压施加到第二绝缘体；使用第一绝缘体和第二绝缘体作为靶执行溅射工艺，以在第一磁性层上形成非磁性层；以及在非磁性层上形成第二磁性层。

附图说明

鉴于所附附图和伴随的详细描述，本发明构思将变得更加显而易见。

图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的流程图。

图2至图4是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的剖视图。

图5是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁存储器件的方法的流程图。

图6是示出图5的操作S110的流程图。

图7至图12是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁性存储器件的方法的剖视图。

图13是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。

图14是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。

具体实施方式