[发明专利]半导体器件

摘要

本公开涉及功耗降低的半导体器件。该器件包括：n型阱区域，位于半导体主体的主面之上；元件隔离区域，位于主表面之上；第一和第二有源区域，位于n型阱区域中并且被元件隔离区域环绕；绝缘膜，位于第一有源区域中的主表面之上；半导体层，位于绝缘膜之上；栅电极层，通过栅极绝缘膜位于半导体层之上；p型源极和漏极区域，在栅电极层的两个端部处形成在半导体层中；伪栅电极层，通过栅极绝缘膜位于半导体层之上；n型半导体区域，位于第二有源区域中的n型阱区域表面之上；以及电源布线，与n型半导体区域耦合。伪栅电极层电浮置。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主表面；第一半导体区域，具有第一导电类型，形成在所述半导体衬底的所述主表面之上；元件隔离区域，形成在所述半导体衬底的所述主表面之上；第一有源区域和第二有源区域，位于所述第一半导体区域中并且被所述元件隔离区域环绕；第一绝缘膜，在所述第一有源区域中形成在所述半导体衬底的所述主表面之上；半导体层，形成在所述第一绝缘膜之上；第一导体层，通过第二绝缘膜形成在所述半导体层之上；一对第二半导体区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，在所述第一导体层的两端处形成在所述半导体层中；第二导体层，通过所述第一有源区域中的第三绝缘膜形成在所述半导体层之上；第三半导体区域，具有所述第一导电类型，形成在所述第二有源区域中的所述第一半导体区域的表面之上；以及电源布线，与所述第三半导体区域耦合，其中所述第二导体层电浮置。