[发明专利]提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法

摘要

本发明公开了一种提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法。该方法是在腐蚀电路中串联一个脉冲宽度调制器作为控制开关，使输出的恒流腐蚀电流脉冲宽度逐渐减小。在制备多孔硅过程中，一方面，由于输出的恒流腐蚀电流脉冲宽度逐渐减小，从而在纵向方向上引起多孔硅的多孔度随腐蚀深度增加而减小；另一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅材料沿纵向方向其多孔度保持一致性，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，同时，保证了多孔硅薄膜纵向物理结构的均匀性和光学特性的稳定性。

主权项

提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法，其特征在于，在腐蚀电路中串联一个脉冲宽度调制器作为控制开关，使输出的恒流腐蚀电流脉冲宽度逐渐减小，来提高多孔硅薄膜纵向方向物理结构的均匀性和光学特性稳定性。