[发明专利]一种消除MIM电容器电弧放电缺陷的方法在审
| 申请号： | 201610940077.6 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978590A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 苗丽;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除MIM电容器电弧放电缺陷的方法，所述方法包括以下步骤提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MIM下电极板；在所述MIM下电极板上形成电介质层；刻蚀所述电介质层，以暴露出所述MIM下电极板；在所述电介质层上形成MIM上电极板，使所述MIM上电极板与所述MIM下电极板相接触。采用本发明的方法，可以使MIM的上电极板和下电极板接触，在沉积上电极板的过程中，电荷会通过与上电极板相连的下电极板传递，及时将产生的电荷分散，没有足够的电荷聚集在一起，避免了尖端放电条件的形成，从而消除了上电极板的电弧放电缺陷，提高了半导体集成电路的良率；而且，这种方法适用于所有包含MIM电容器产品的工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 mim 电容器 电弧 放电 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种消除MIM电容器电弧放电缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MIM下电极板；在所述MIM下电极板上形成电介质层；刻蚀所述电介质层，以暴露出所述MIM下电极板；在所述电介质层上形成MIM上电极板，使所述MIM上电极板与所述MIM下电极板相接触。
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