[发明专利]一种消除MIM电容器电弧放电缺陷的方法

权利要求书

1.一种消除MIM电容器电弧放电缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成MIM下电极板；

在所述MIM下电极板上形成电介质层；

刻蚀所述电介质层，以暴露出所述MIM下电极板；

在所述电介质层上形成MIM上电极板，使所述MIM上电极板与所述MIM下电极板相接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述电介质层的方法包括：对所述电介质层的边缘斜角进行刻蚀和对所述电介质层的切割道区域进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述电介质层的工艺为干法刻蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成MIM上电极板的步骤包括：在所述电介质层上沉积上层金属，对所述上层金属进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下电极板的材料为铝、钽、氮化钽、钛、氮化钛中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上电极板的材料为铝、钽、氮化钽、钛、氮化钛中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下电极板的形成方法是物理气相沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层的形成工艺是化学气相沉积、原子层沉积或溅射。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述上层金属的沉积方法是物理气相沉积。