[发明专利]相变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610940058.3 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978675A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张真;朱南飞;王蕾;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成暴露下方接触孔的沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成第一间隙壁；在所述沟槽中与所述接触孔对应的区域中形成下电极；在所述下电极表面形成第二间隙壁；在所述下电极上形成电阻层和上电极，其中，所述第一间隙壁和第二间隙壁采用氮化物介质材料。该制作方法可以避免下电极被氧化物而导致电阻发生变化，因而提高了下电极和相变存储器的稳定性。该相变随机存储器存储单元和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机 存储器 存储 单元 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成暴露下方接触孔的沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成第一间隙壁；在所述沟槽中与所述接触孔对应的区域中形成下电极；在所述下电极表面形成第二间隙壁；在所述下电极上形成电阻层和上电极，其中，所述第一间隙壁和第二间隙壁采用氮化物介质材料。
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