[发明专利]相变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成暴露下方接触孔的沟槽；

在所述沟槽的侧壁上形成第一间隙壁；

在所述沟槽中与所述接触孔对应的区域中形成下电极；

在所述下电极表面形成第二间隙壁；

在所述下电极上形成电阻层和上电极，

其中，所述第一间隙壁和第二间隙壁采用氮化物介质材料。

2.根据权利要求1所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述沟槽暴露所述下方接触孔的部分区域。

3.根据权利要求1所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述下电极呈L型，并且L型下电极的水平部分与所述下方接触孔的部分区域接触，垂直部分与所述第一间隙壁接触。

4.根据权利要求3所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，对应于所述沟槽中的每个下电极，在所述下电极的表面上形成对应的所述第二间隙壁。

5.根据权利要求4所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述下电极和所述第二间隙壁通过下述步骤形成：

形成覆盖所述层间介电层表面、所述第一间隙壁以及所述沟槽底部的下电极材料层和第二间隙壁材料层；

图形化所述下电极材料层和第二间隙壁材料层以形成所述下电极和第二间隙壁。

6.根据权利要求5所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，图形化所述下电极材料层和第二间隙壁材料层以形成所述下电极和第二间隙壁的步骤包括：

形成覆盖所述下电极材料层和第二间隙壁材料层，并填充所述沟槽的硬掩膜材料层；

在所述硬掩膜层材料层上形成图形化的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜蚀刻所述硬掩膜层材料层，以形成图形化的硬掩膜；

以所述图形化的硬掩膜为掩膜蚀刻所述下电极材料层和第二间隙壁材料层以形成所述下电极和第二间隙壁。

7.根据权利要求3所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述第二间隙壁覆盖所述沟槽中所有下电极的表面。

8.根据权利要求1-7中的任意一项所述的相变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述第一间隙壁和第二间隙壁为氮化硅。

9.一种相变随机存储器存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有暴露下方接触孔的沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成有第一间隙壁；在所述沟槽中与所述接触孔对应的区域中形成有L型下电极，所述L型下电极的水平部分与所述接触孔接触，垂直部分与所述第一间隙壁接触；在所述L型下电极的表面上形成有第二间隙壁；在所述下电极上形成有电阻层和上电极，其中，所述第一间隙壁和第二间隙壁采用氮化物介质材料。

10.根据权利要求9所述的相变随机存储器存储单元，其特征在于，所述第一间隙壁和第二间隙壁为氮化硅。

11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的相变随机存储器存储单元以及与所述相变随机存储器存储单元相连接的电子组件。