[发明专利]GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器包括N型GaSb衬底，以及依次沉积在N型GaSb衬底上的N型GaSb缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、AlGaAsSb下波导层、有源区、AlGaAsSb上波导层、P型AlGaAsSb上限制层、P型GaSb上缓冲层。在窄脊形波导结构上方刻蚀两个电流注入窗口，分别向增益区和吸收区注入正向电流和反向偏压，两区集成在同一个芯片上形成单片双区结构，使得外延结构可以一次生长，省去了单独制备非线性可饱和吸收体的步骤。从而减少了传统Z型及X型光泵浦光路中光损耗问题，能够获得更大输出功率。本发明还提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器制备方法。

主权项

一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器，其包括：衬底、外延结构、脊形波导结构和双区结构；所述外延结构位于所述衬底上，自下而上依次包括：N型GaSb下缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、非掺杂AlGaAsSb下波导层、非掺杂AlGaAsSb下势垒层、非掺杂量子阱有源区、非掺杂AlGaAsSb上势垒层、非掺杂AlGaAsSb上波导层、P型AlGaAsSb上限制层和P型GaSb上缓冲层；所述脊形波导结构，由所述P型GaSb上缓冲层向下刻蚀形成的；所述双区结构位于所述脊形波导结构上，通过在所述脊形波导结构上刻蚀形成增益区窗口和吸收区窗口。