[发明专利]GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610939768.4 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106300016A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张克露;张宇;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gasb 基单管双区 结构 脉冲 激光器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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