[发明专利]一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜，置于p型晶体硅和背电极之间；超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层膜用于钝化接触p型晶体硅背表面；制备方法包括采用原子层淀积法制备超薄氧化铝层；选用热蒸发法或等离子增强原子层淀积法制备金属氧化物层。本发明能够降低背表面光损失和载流子复合损失，从而提升电池的光电转换效率；同时超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层能够收集和传输空穴，仅需原子层淀积和热蒸发镀膜工艺制备获得，避免了进一步使用工艺难度大、所需设备昂贵的激光开孔工艺。

主权项

一种背钝化晶硅太阳电池，其特征在于，所述背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜，置于p型晶体硅和背电极之间；所述超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜用于钝化接触p型晶体硅背表面；超薄氧化铝层厚度为0.2nm～3nm；所述超薄氧化铝层用于钝化p型晶体硅背表面且能够实现空穴隧穿通过。