[发明专利]一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背钝化晶硅太阳电池，其特征在于，所述背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜，置于p型晶体硅和背电极之间；所述超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜用于钝化接触p型晶体硅背表面；

超薄氧化铝层厚度为0.2nm～3nm；所述超薄氧化铝层用于钝化p型晶体硅背表面且能够实现空穴隧穿通过。

2.如权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池，其特征在于，高功函数过渡金属氧化物层为非化学计量比的氧化钼(MoOx )、氧化钨(WOx)或氧化钒(V2Ox)中的一种，厚度为10nm～100nm；所述高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜用于进一步钝化p型晶体硅背表面且能够收集空穴并将其传导至背电极。

3.一种如权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法，包括：

步骤一：清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层；

步骤二：淀积超薄氧化铝层；

步骤三：淀积高功函数过渡金属氧化物层；

步骤四：印刷背电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺。

4.如权利要求3所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，采用原子层淀积的方法制备超薄氧化铝层及采用热蒸发法制备高功函数过渡金属氧化物层。

5.如权利要求3所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，高功函数过渡金属氧化物层采用等离子增强原子层淀积法制备。

6.如权利要求4所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述采用原子层淀积的方法制备超薄氧化铝层具体包括：

以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源，氮气为载气，150～200摄氏度的衬底温度下交替反应后获得0.2～3nm厚的氧化铝(AlOx )层。

7.如权利要求4所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述采用热蒸发法制备高功函数过渡金属氧化物层具体包括：

以纯度大于99.9％的过渡金属氧化物粉末为蒸发源，蒸发速率约0.05～0.2nm/S，通过控制热蒸发时间获得10～100nm厚的高功函数过渡金属氧化物层。

8.一种利用权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池为p型单晶硅太阳电池。

9.一种利用权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池为p型多晶硅太阳电池。