[发明专利]一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法在审
| 申请号： | 201610935892.3 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108017413A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王彤;于新民;李晓东 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法，包括以下步骤：首先，制备二氧化硅粉和碳粉的混合粉备用，然后对C/SiC复合材料样品进行喷砂处理，使其表面具有一定的粗糙度，接着采用PIP工艺在样品表面引入碳源，最后，将制得的样品悬空置于硅粉和碳粉的混合物上方，采用化学气相反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线，本发明首次在C/SiC复合材料表面引入碳源并成功制备了SiC纳米线，解决了在C/SiC复合材料表面强韧化陶瓷涂层增韧相的制备问题，并且SiC纳米线能够大量生成，使得SiC纳米线完全覆盖基体表面，本发明制备方法简单，扩宽了C/SiC复合材料的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 复合材料 表面 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将二氧化硅粉和碳粉混合均匀得到粉料，备用；步骤2、将C/SiC复合材料进行喷砂处理；步骤3、将步骤2制得的复合材料浸渍于碳源先驱体中，进行固化-裂解，继续重复该步骤，直至复合材料增重率达到0.5％～1％；步骤4、将步骤1制备的粉料置于石墨坩埚中，再将步骤3得到的C/SiC复合材料悬挂在石墨坩埚中粉料表面的上方，采用化学气相反应法，即可在C/SiC复合材料表面大量生成SiC纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天特种材料及工艺技术研究所，未经航天特种材料及工艺技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610935892.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
