[发明专利]一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法

权利要求书

1.一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将二氧化硅粉和碳粉混合均匀得到粉料，备用；

步骤2、将C/SiC复合材料进行喷砂处理；

步骤3、将步骤2制得的复合材料浸渍于碳源先驱体中，进行固化-裂解，继续重复该步骤，直至复合材料增重率达到0.5％～1％；

步骤4、将步骤1制备的粉料置于石墨坩埚中，再将步骤3得到的C/SiC复合材料悬挂在石墨坩埚中粉料表面的上方，采用化学气相反应法，即可在C/SiC复合材料表面大量生成SiC纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅粉和碳粉的质量比为1～2：1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1中，先将二氧化硅粉和碳粉进行混合得到混合粉，然后混合粉再与无水乙醇进行球磨混合得到粉料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合粉和无水乙醇的质量比为0.3～0.5：1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述C/SiC复合材料为经过打磨抛光过的复合材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅粉的粒径为1～2μm，所述碳粉的粒径为0.5～2μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，具体采用碳纤维对复合材料进行捆绑并悬挂在石墨坩埚中粉料表面的上方。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，所述粉料厚度为石墨坩埚深度的1/5～1/3。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳源先驱体选自氨酚醛树脂、硼酚醛树脂或呋喃树脂中的任一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3和4均在惰性环境下进行。