[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存器件及其制造方法。该闪存器件包括：衬底；和位于该衬底之上的存储单元，该存储单元包括：在衬底上的沟道结构，该沟道结构从内到外依次包括：沟道层、包绕在该沟道层表面上的隧穿绝缘物层、包绕在该隧穿绝缘物层表面上的电荷捕获层和包绕在该电荷捕获层表面上的阻挡层，该沟道层包括基本垂直于衬底的上表面的第一部分和在该第一部分上的第二部分；沿着沟道结构的轴向排列的包绕该沟道结构的多个栅极结构，其中该多个栅极结构中处在最上部的栅极结构包绕第二部分；和与沟道层的第二部分连接的沟道接触件，其中该沟道接触件与第二部分形成肖特基接触。本发明可以减小漏电流，实现对漏电流的控制。

主权项

1.一种闪存器件，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底之上的存储单元，所述存储单元包括：在所述衬底上的沟道结构，所述沟道结构从内到外依次包括：沟道层、包绕在所述沟道层表面上的隧穿绝缘物层、包绕在所述隧穿绝缘物层表面上的电荷捕获层、以及包绕在所述电荷捕获层表面上的阻挡层，所述沟道层包括基本垂直于所述衬底的上表面的第一部分和在所述第一部分上的第二部分；沿着所述沟道结构的轴向排列的包绕所述沟道结构的多个栅极结构，其中所述多个栅极结构中处在最上部的栅极结构包绕所述第二部分；以及与所述沟道层的第二部分连接的沟道接触件，其中所述沟道接触件与所述第二部分形成肖特基接触。