[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件，其特征在于，包括：

衬底；以及

位于所述衬底之上的存储单元，所述存储单元包括：

在所述衬底上的沟道结构，所述沟道结构从内到外依次包括：沟道层、包绕在所述沟道层表面上的隧穿绝缘物层、包绕在所述隧穿绝缘物层表面上的电荷捕获层、包绕在所述电荷捕获层表面上的阻挡层、以及被所述沟道层包绕的沟道芯部，所述沟道层包括基本垂直于所述衬底的上表面的第一部分和在所述第一部分上的第二部分，所述第二部分覆盖在所述沟道芯部的上表面上；

沿着所述沟道结构的轴向排列的包绕所述沟道结构的多个栅极结构，其中所述多个栅极结构中处在最上部的栅极结构包绕所述第二部分；以及

与所述沟道层的第二部分连接的沟道接触件，其中所述沟道接触件与所述第二部分形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述第一部分的导电类型与所述第二部分的导电类型相反。

3.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，

所述第一部分的导电类型为N型，所述第二部分的导电类型为P型；或者，

所述第一部分的导电类型为P型，所述第二部分的导电类型为N型。

4.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，

所述沟道层的材料包括多晶硅；

所述隧穿绝缘物层的材料包括硅的氧化物；

所述电荷捕获层的材料包括硅的氮化物；

所述阻挡层的材料包括硅的氧化物。

5.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述沟道接触件包括：与所述第二部分接触的顶部界面层以及在所述顶部界面层上的金属填充层。

6.根据权利要求5所述的闪存器件，其特征在于，

所述第二部分的导电类型为P型，所述顶部界面层为P型功函数调节层；或者，

所述第二部分的导电类型为N型，所述顶部界面层为N型功函数调节层。

7.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述沟道层还包括：在所述第一部分下面的第三部分，其中所述多个栅极结构中处在最下部的栅极结构包绕所述第三部分。

8.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，还包括：

在衬底的一部分上的底部界面层，所述底部界面层包括功函数调节层，其中所述存储单元的一部分位于所述底部界面层上，所述沟道层与所述底部界面层接触。

9.根据权利要求8所述的闪存器件，其特征在于，

所述第一部分的导电类型为N型，所述底部界面层包括N型功函数调节层；或者

所述第一部分的导电类型为P型，所述底部界面层包括P型功函数调节层。

10.根据权利要求8所述的闪存器件，其特征在于，

所述闪存器件包括相互分隔开的多个所述存储单元；

所述闪存器件还包括：位于相邻的存储单元之间的与所述底部界面层连接的金属连接件和将所述金属连接件与所述栅极结构间隔开的侧壁间隔物层。

11.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述存储单元还包括：位于相邻的栅极结构之间的间隔绝缘物层。