[发明专利]自校准式恒温电迁移测试中的金属活化能评估方法有效
| 申请号： | 201610924546.5 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106653635B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 曹巍;周柯;陈雷刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自校准式恒温电迁移测试中的金属活化能评估方法，包括：在第一步骤确定初始测试温度和初始载台温度，并根据初始测试温度和初始载台温度得出初始电流；在第一步骤之后执行第二步骤，其中改变测试温度，并且改变载台温度，并且根据改变的测试温度和改变的载台温度得到更新电流；在第二步骤之后执行第三步骤，其中判断当前的更新电流是否满足预定条件；在当前的更新电流满足预定条件的情况下执行第四步骤，其中将当前的更新电流确定为应力电流。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 恒温 迁移 测试 中的 金属 活化能 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自校准式恒温电迁移测试中的金属活化能评估方法，其特征在于包括：在第一步骤确定初始测试温度T和初始载台温度Tchuck，并根据初始测试温度T和初始载台温度Tchuck得出初始电流In；在第一步骤之后执行第二步骤，其中通过使得测试温度T增加一个增量温度ΔT以及补偿温度TOS来改变测试温度，而且使得载台温度增加一个增量温度ΔT来改变载台温度，并且根据改变的测试温度和改变的载台温度得到更新电流I′n；在第二步骤之后执行第三步骤，其中判断当前的更新电流I′n是否满足预定条件；在当前的更新电流I′n满足预定条件的情况下执行第四步骤，其中将当前的更新电流I′n确定为应力电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
