[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、p型MOS晶体管、n型MOS晶体管和固化的可流动的氧化物层。衬底包括第一区域和第二区域。p型MOS晶体管位于第一区域中。n型MOS晶体管位于第二区域中。固化的可流动的氧化物层覆盖p型MOS晶体管和n型MOS晶体管，其中施加到p型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到n型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第二应变，并且它们之间的差异大于0.002Gpa。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；p型MOS晶体管，位于所述第一区域中；n型MOS晶体管，位于所述第二区域中；以及固化的可流动的氧化物层，覆盖所述p型MOS晶体管和所述n型MOS晶体管，其中，施加到所述p型MOS晶体管的所述固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到所述n型MOS晶体管的所述固化的可流动的氧化物层的第二应变，所述第一应变和所述第二应变之间的差异大于0.002Gpa。