[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数级增长。在IC材料和设计上的技术进步已经产生了一代又一代IC，每一代都具有比前一代更小更复杂的电路。在IC进化过程中，功能密度(即，单位芯片面积上互连器件的数量)已经普遍地增长，而几何尺寸(使用制造工艺可以创建的最小的组件(或线))有所减小。这种缩放工艺普遍地通过提高生产效率和降低相关成本来提供利益。

这样的缩放也增加了处理和制造IC的复杂性以及，为了实现这些先进的技术，也需要在IC处理和制造中的类似的发展。例如，已经引进了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管来替代平面晶体管。尽管现有的FinFET器件和形成FinFET器件的方法已经能普遍地满足它们的预期目的，但是它们还没有在各个方面完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；p型MOS晶体管，位于所述第一区域中；n型MOS晶体管，位于所述第二区域中；以及固化的可流动的氧化物层，覆盖所述p型MOS晶体管和所述n型MOS晶体管，其中，施加到所述p型MOS晶体管的所述固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到所述n型MOS晶体管的所述固化的可流动的氧化物层的第二应变，所述第一应变和所述第二应变之间的差异大于0.002Gpa。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；p型MOS晶体管，位于所述第一区域中；n型MOS晶体管，位于所述第二区域中；以及固化的可流动的氧化物层，覆盖所述p型MOS晶体管和所述n型MOS晶体管，其中，所述第一区域和所述第二区域中的所述固化的可流动的氧化物层的掺杂剂浓度、H-N键合和孔隙率的至少一个是不同的。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域中形成第一MOS晶体管并且在所述第二区域中形成第二MOS晶体管；在所述衬底上方形成第一可流动的氧化物材料；去除位于所述第二区域中的部分所述第一可流动的氧化物材料，以使位于所述第一区域中的保留的所述第一可流动的氧化物材料形成第一介电层；在所述衬底上方形成第二可流动的氧化物材料；以及去除位于所述第一区域中的部分所述第二可流动的氧化物材料，以使位于所述第二区域中的保留的所述第二可流动的氧化物材料形成第二介电层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例示出半导体器件的制造方法的流程图。

图2A至图2F是根据本发明的一些实施例示出半导体器件的制造工艺的截面示意图。

图3是根据本发明的一些实施例示出半导体器件的制造方法的流程图。

图4A至图4D是根据本发明的一些实施例示出半导体器件的制造工艺的截面示意图。

图5是根据本发明的一些实施例示出半导体器件的制造方法的流程图。

图6A至图6E是根据本发明的一些实施例的半导体器件的制造工艺的截面示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。