[发明专利]场效应晶体管，显示元件，图像显示装置以及系统在审
| 申请号： | 201610915838.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106611795A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 早乙女辽一;植田尚之;中村有希;平野由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王增强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 显示装置 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。
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