[发明专利]场效应晶体管,显示元件,图像显示装置以及系统在审

专利信息
申请号: 201610915838.2 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN106611795A 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 早乙女辽一;植田尚之;中村有希;平野由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪;草柳岭秀 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 王增强
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 场效应 晶体管 显示 元件 图像 显示装置 以及 系统
【权利要求书】:

1.一种场效应晶体管包括:

用于施加栅电压的栅电极;

用于取出电流的源电极和漏电极;

与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层;以及

设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层;

上述场效应晶体管的特征在于:

上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管,其特征在于:

上述氧化物含有Al和B的至少某一种。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管,其特征在于:

上述半导体层为氧化物半导体。

4.一种显示元件,其特征在于,包括:

光控制元件,根据驱动信号,控制光输出;以及

驱动电路,具有如权利要求1~3任一个所述的场效应晶体管,且驱动上述光控制元件。

5.如权利要求4所述的显示元件,其特征在于:

上述光控制元件包括电致发光元件、电致彩色元件、液晶元件、电泳元件、以及电润湿元件之中的某一种。

6.一种图像显示装置,显示根据图像数据的图像,其特征在于,包括:

配置为矩阵状的多个如权利要求4或5所述的显示元件;

多个配线,用于对上述多个显示元件中的各场效应晶体管个别地施加栅电压;以及

显示控制装置,根据上述图像数据,通过上述多个配线,个别地控制上述各场效应晶体管的栅电压。

7.一种系统,其特征在于,包括:

权利要求6所述的图像显示装置;以及

图像数据作成装置,根据所显示的图像信息,作成图像数据,将该图像数据输出到上述图像显示装置。

8.一种场效应晶体管的栅绝缘层的组成物,其特征在于,包括:

含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。

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