[发明专利]高压MOSFET、半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610915568.5 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107026202B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈翔裕;吴国铭;林怡君;亚历克斯·卡尔尼茨基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括阱区、第一掺杂区、漏极区、源极区和栅电极。第一导电类型的第一掺杂区位于阱区内的第一侧处。第一导电类型的漏极区位于第一掺杂区内。第一导电类型的源极区位于阱区的第二侧处，其中第二侧与第一侧相对。栅电极位于阱区上方并且位于源极区和漏极区之间。漏极区的表面和源极区的表面限定了沟道，并且源极区的表面与阱区直接接触。本发明的实施例还涉及高压MOSFET、半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mosfet 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：阱区；第一导电类型的第一掺杂区，位于所述阱区内的第一侧处；所述第一导电类型的漏极区，位于所述第一掺杂区内；所述第一导电类型的源极区，位于所述阱区内的第二侧处，所述第二侧与所述第一侧相对；以及栅电极，位于所述阱区上方并且位于所述源极区和所述漏极区之间；其中，所述漏极区的表面和所述源极区的表面限定了沟道，并且所述源极区的表面与所述阱区直接接触。
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