[发明专利]高压MOSFET、半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610915568.5 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107026202B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈翔裕;吴国铭;林怡君;亚历克斯·卡尔尼茨基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 mosfet 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
阱区；
第一导电类型的第一掺杂区，位于所述阱区内的第一侧处；
所述第一导电类型的漏极区，位于所述第一掺杂区内，其中，所述漏极区具有第一漏极区和第二漏极区；
所述第一导电类型的源极区，位于所述阱区内的第二侧处，所述第二侧与所述第一侧相对，并且所述源极区包括：
第一源极区，具有面向所述漏极区的第一垂直边界，第一垂直边界直接与所述阱区接界；
第二源极区，位于所述第一源极区域下方，具有面向所述漏极区的第二垂直边界，所述第二垂直边界直接与所述阱区接界，并且所述第一垂直边界与所述第二垂直边界垂直对准；
栅电极，位于所述阱区上方并且位于所述源极区和所述漏极区之间；
间隔件，位于所述栅电极的两侧处；以及
介电层，位于所述栅电极和所述阱区之间；
其中，所述漏极区的表面和所述源极区的表面限定了沟道，并且所述源极区的表面与所述阱区直接接触，
其中，所述栅电极和所述介电层覆盖所述第一掺杂区的部分以及所述第一漏极区和所述第二漏极区的部分，
其中，所述第一漏极区和所述第二漏极区延伸超出所述间隔件的部分的最大宽度相同，并且所述第一源极区和所述第二源极区延伸超出所述间隔件的部分的最大宽度相同。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一漏极区的深度不同于所述第二漏极区的深度。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一源极区的深度不同于所述第二源极区的深度。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一漏极区和所述第二漏极区由不同的材料形成，并且所述第一源极区和所述第二源极区由不同的材料形成。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一漏极区或所述第一源极区包括砷。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二漏极区或所述第二源极区包括磷。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一漏极区的深度或所述第一源极区的深度在从0.01μm至0.022μm的范围。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二漏极区的深度或所述第二源极区的深度在从0.02μm至0.054μm的范围。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述栅电极的两侧处的间隔件，其中，每个所述间隔件的宽度与所述栅电极的宽度的比率在1:4至1:7的范围。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述漏极区或所述源极区在所述栅电极下方延伸0.3μm的距离。
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