[发明专利]一种钙钛矿型镧铌氮氧化物半导体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610915199.X 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN107963665A 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 杨明辉;万里鹏;熊锋强;李悦;焦雨桐 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01G33/00 分类号: C01G33/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 采用La3NbO7作为单一前驱体,在高温氨气氛下进行热氨解氮化,制备带边吸收达到750nm的宽可见光效应的LaNbON2半导体。本方法中,La3NbO7相比于LaNbON2中La‑Nb计量比,La氧化物过量,且在单一前驱体中原子级别均匀分布,能够有效抑制高温氮化过程中Nb的还原,抑制低价Nb缺陷或杂相的形成,得到优质LaNbON2。氮化后过量的La以氧化物形式析出,溶解后造孔,得到的LaNbON2比表面积高达27.9m2/g。
搜索关键词: 一种 钙钛矿型镧铌氮 氧化物 半导体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿型镧铌氮氧化物半导体的制备方法,其特征在于:采用La3NbO7作为前驱体,进行高温氮化,从室温程序升温至氮化温度,保温,降温,氮化后经处理得到钙钛矿型镧铌氮氧化物半导体。
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