[发明专利]简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法

摘要

本申请公开简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法，方法包括：处理衬底、生长N型GaN层、生长发光层、生长P型GaN层、在P型GaN层表面进行ITO镀膜、图形化处理、干法刻蚀GaN外延层到N型GaN层、蒸镀N接触层并形成N型GaN层的欧姆接触层、生长ODR膜叠层、生长氧化硅介质膜层、生长DLC介质膜层、图形化处理使PN接触电极的电接触焊盘区裸露、制作PN金属电极焊盘形成倒装LED芯片组合、在各芯片的N型GaN层区域将芯片划裂分离形成多个单独的芯片、对各芯片用封装胶进行封装处理并固化、形成倒装LED芯片列阵的封装胶载体基片、完成倒装LED CSP芯片的分离、形成LED CSP芯片。

主权项

一种简单化倒装LED结构的CSP芯片的制作方法，其特征在于，依次包括：处理蓝宝石衬底、生长N型GaN层、生长MQW发光层、生长P型GaN层、在所述P型GaN层表面进行ITO镀膜、图形化处理、干法刻蚀GaN外延层到N型GaN层、蒸镀N接触层并形成N型GaN层的欧姆接触层，还包括：在所述LED的欧姆接触层上交替生长氧化钛介质膜和氧化硅介质膜，形成由氧化钛介质膜和氧化硅介质膜组成的全向反射镜ODR膜叠层；在所述ODR膜叠层上生长一层厚度为2000A‑5000A的氧化硅介质膜层；在所述氧化硅介质膜层上生长一层厚度为2000A‑5000A的DLC介质膜层；利用光刻和干法刻蚀，对所述DLC介质膜层、所述氧化硅介质膜层和所述ODR膜叠层进行图形化处理，使得与所述ITO镀膜层欧姆接触的P接触电极的电接触焊盘区以及与所述N型GaN层欧姆接触的N接触电极的电接触焊盘区裸露；在所述P接触电极和所述N接触电极的电接触焊盘区上，利用光刻和蒸镀金属的方法，制作P金属电极焊盘和N金属电极焊盘，形成倒装LED芯片组合；利用激光切割方法，在所述倒装LED芯片组合中各芯片的N型GaN层的区域将所述各芯片划裂分离，形成多个单独的所述芯片；在具有粘性的耐受温度大于150°、且烘烤不变形的柔性过渡基膜上，按预先设计的所述芯片间隔要求规则排列所述多个单独的芯片，将每个所述芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的带胶面一侧，形成倒装LED芯片列阵；在所述柔性过渡基膜上设置围坝，在所述围坝内涂覆一定厚度的均匀的封装胶，并对所述封装胶进行固化；去除所述柔性过渡基膜，将固化后的所述封装胶作为所述倒装LED芯片列阵的封装胶载体基片；利用机械切割的方法完成倒装LED CSP芯片的分离，形成多个单独的LED侧壁由封装胶保护的LED CSP芯片。