[发明专利]氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板有效
| 申请号： | 201610894719.3 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106298880B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘川;陈昌东;杨柏儒;李恭檀;陶紫滢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板，所述氧化物薄膜的成分为包括Zn、In和Sn中的一种或多种，以及H的氧化物，通过对氧化物薄膜进行氢化，能够有效提高氧化物薄膜的载流子迁移率；进而，将所述氧化物薄膜作为晶体管的沟道层，能够进一步提高晶体管的载流子迁移率，从而有效满足新型显示技术对高迁移率的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 制备 方法 晶体管 显示 背板 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底基板上形成沟道层，其中所述沟道层的成分为包括Zn、In和Sn中的一种或多种的氧化物；氢化所述沟道层，形成氢化非晶氧化物薄膜，其中，所述氢化非晶氧化物薄膜的电子载流子场效应迁移率大于或等于100cm2/Vs；所述在衬底基板上形成沟道层，包括以下步骤：在包含氧气和氩气的气体氛围中，将镓铟锌氧、氧化锌、氧化铟和氧化铟锡中的一种作为靶材，以射频磁控溅射方式形成所述沟道层；所述射频磁控溅射方式形成所述沟道层的工艺中，所述氧气的分压为25％；所述氢化所述沟道层，形成氢化物非晶氧化物薄膜，包括以下步骤：使用硅烷和氨气作为工艺气体，采用等离子增强化学气相沉积方式，在所述沟道层上形成钝化层；其中，所述钝化层包括氮化硅层和/或氧化硅层；在氮气氛围中，进行热退火；在所述沟道层上形成钝化层的工艺中，所述硅烷的分压在0.5％‑10％之间，所述氨气的分压在0.5％‑20％之间，沉积温度大于或等于100℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610894719.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
