[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610893212.6 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107369752B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 卢东宝;徐子涵 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，其半导体发光装置，包括发光二极管芯片以及配置于发光二极管芯片上的电极，电极至少包括一银合金(Ag1‑xYx)电镀层，其中Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶的金属，且X在0.02至0.15之范围内。上述半导体发光装置的制造方法也被提出。本发明发光二极管芯片中的银合金电镀层有助于改善银合金电镀层与焊线之间的接触阻抗，进而提升发光二极管芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：发光二极管芯片；电极，配置于所述发光二极管芯片上，所述电极包括：银合金(Ag1‑xYx)电镀层，其中Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且X在0.02至0.15的范围内；粘着层，配置于所述发光二极管芯片与所述银合金电镀层之间；晶种层，配置于所述粘着层与所述银合金电镀层之间。
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