[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610893212.6 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107369752B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 卢东宝;徐子涵 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
发光二极管芯片；
电极，配置于所述发光二极管芯片上，所述电极包括：
银合金(Ag1-xYx)电镀层，其中Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且X在0.02至0.15的范围内；
粘着层，配置于所述发光二极管芯片与所述银合金电镀层之间；
晶种层，配置于所述粘着层与所述银合金电镀层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述银合金电镀层的Y包括金、钯或其合金。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述银合金电镀层的厚度介于2微米至8微米之间。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述银合金电镀层的平均晶粒尺寸介于0.5微米至1.5微米之间。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述粘着层的材料包括镍、钛、钨化钛、钯、金、银或其合金，所述粘着层的厚度介于1000埃至3000埃之间；所述晶种层的材料包括铂、银或其合金，所述晶种层的厚度介于500埃至1000埃之间。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括：
焊线或凸块，配置于所述银合金电镀层上，以电性连接所述发光二极管芯片与另一元件。
7.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供发光二极管芯片；
形成图案化光阻层于所述发光二极管芯片上，所述图案化光阻层具有开口，所述开口暴露所述发光二极管芯片的表面；
藉由电镀工艺形成银合金电镀层于所述开口中，以使所述银合金电镀层位于所述发光二极管芯片上，并与所述发光二极管芯片电性连接；
在形成所述银合金电镀层之前，还包括：
共形形成一粘着材料层于所述发光二极管芯片上，所述粘着材料层覆盖所述图案化光阻层的表面与所述开口的底部；
共形形成一晶种材料层于所述粘着材料层上；
形成一银合金材料层于所述晶种材料层上；
移除所述图案化光阻层，以一并图案化所述粘着材料层、所述晶种材料层以及所述银合金材料层。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，所述粘着材料层与所述晶种材料层的形成方法包括蒸镀、溅镀、有电电镀或无电电镀。
9.根据权利要求7所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，在形成所述银合金电镀层之后，还包括形成焊线或凸块于所述银合金电镀层上，以电性连接所述发光二极管芯片与另一元件。
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