[发明专利]存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610879742.5 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107293550B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器元件，可减少三维垂直通道存储器元件相邻二区块之间的顶部导电结构。在一些实施例中，垂直的柱状体和串行选择线以及字线交叉，并且排列于一个被旋转的网格中，而形成“扭曲”的柱状体阵列。此处所述的三维NAND阵列结构呈现波浪状，顺着排列外缘柱状体的波浪线延伸。例如，串行选择线、字线、接地选择线和接地线任何一者具有波浪形状的侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件，包括：一NAND串行阵列，位于多条位线下方，所述位线沿着一位线方向延伸；多条串行选择线和多条字线，包括建构于多个导电层中的多个导电条带；一第一分页，包括该NAND串行阵列中的多条NAND串行，延伸穿过所述导电层，耦接至所述串行选择线中的一第一串行选择线；该第一分页中的所述NAND串行设置在一第一网格(grid)之中，该第一网格相对于该位线方向偏离了一偏离角度(off‑angle)；且所述串行选择线的所述导电条带分别具有至少一弯曲侧边(curved sides)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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