[发明专利]耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管在审
| 申请号： | 201610873926.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298944A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管，包括硅衬底；所述硅衬底的两端为硅氧化物制成的隔离区；所述隔离区和所述硅衬底之间有一层过渡层；所述硅衬底的正中间为多晶硅栅；所述多晶硅栅的底部为向上凸起状；所述多晶硅栅的底部和所述硅衬底之间有一层二氧化硅；所述多晶硅栅的顶部由一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅和所述隔离区之间、所述硅衬底之内有P型掺杂的源区和漏区；所述多晶硅栅的两侧有侧墙；在所述多晶硅栅的底部、所述硅衬底之中，有将源区和漏区连接在一起的P型掺杂层。在本发明中，栅极的衬底向上凸出，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 栅极 衬底 凸出 mos | ||
【主权项】：
一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管，其特征在于，包括硅衬底(1)；所述硅衬底(1)的两端为硅氧化物制成的隔离区(3)；所述隔离区(3)和所述硅衬底(1)之间有一层过渡层(2)；所述硅衬底(1)的正中间为多晶硅栅(5)；所述多晶硅栅(5)的底部为向上凸起状；所述多晶硅栅(5)的底部和所述硅衬底(1)之间有一层二氧化硅(7)；所述多晶硅栅(5)的顶部由一层钛多晶硅化物(6)；所述多晶硅栅(5)和所述隔离区(3)之间、所述硅衬底(1)之内有P型掺杂的源区(8)和漏区(4)；所述多晶硅栅(5)的两侧有侧墙(9)；在所述多晶硅栅(5)的底部、所述硅衬底(1)之中，有将源区(8)和漏区(4)连接在一起的P型掺杂层(10)。
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