[发明专利]耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管在审
| 申请号： | 201610873926.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298944A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耗尽 栅极 衬底 凸出 mos | ||
【说明书】：
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