[发明专利]浆料和使用其的衬底抛光方法有效
| 申请号： | 201610847221.1 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107011805B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 朴珍亨 | 申请（专利权）人： | 优备材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种浆料和使用其的衬底抛光方法，且更具体来说，涉及一种可以用以在半导体制造工艺中通过化学机械抛光工艺来平面化氧化物的浆料和一种使用其的衬底抛光方法。根据本发明一实施例的浆料是氧化物抛光浆料，且包含：第一浆料，含有抛光磨料和抑制与氧化物不同的第一材料的抛光的第一抛光抑制剂；以及第二浆料，含有促进氧化物的抛光的抛光促进剂。第一浆料可含有分散磨料的分散剂，且可进一步含有维持磨料的均匀分散的分散稳定剂。第二浆料可含有抑制与氧化物不同的第二材料的抛光的第二抛光抑制剂。本发明的浆料和衬底抛光方法能够通过调节氧化物的抛光速率将所述氧化物与不为所述氧化物的材料之间的抛光选择性维持在最优范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 浆料 使用 衬底 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物抛光浆料，其特征在于，所述氧化物抛光浆料包括：第一浆料，含有抛光的磨料、用于分散所述磨料的分散剂和第一抛光抑制剂，所述第一抛光抑制剂用于抑制与氧化物不同的第一材料的抛光；以及第二浆料，含有用于促进所述氧化物的抛光的抛光促进剂。
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